梅云辉

发布者:学生办发布时间:2021-03-01浏览次数:6846

梅云辉



基本情况:

出生年月:19855

政治面貌:中共党员

职称:教授

导师类型:博导、硕导

E-Mailmeiyunhui@163.com

硕士招生专业:电子科学与技术、电子信息

博士招生专业方向:机械工程(机械电子强度与结构完整性;功率器件封装技术与可靠性)、材料科学与工程(先进低温连接材料与热管理)、电子与电气科学


学习经历:

2008.1-2010.1  美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统应用中心(CPES),电力电子封装,联合培养

2006.9-2010.12  天津大学,化学过程机械专业(硕博连读),获工学博士学位
2002.9-2006.6  天津大学,过程装备与控制工程专业,获工学学士学位

工作经历:

2020.11  天津工业大学电子与信息工程学院教授

2019.8-2020.10 天津大学, 材料科学与工程学院, 教授

2015.1-2015.6  香港科技大学, 先进电子封装研究中心, 高级访问学者

2014.6-2019.8  天津大学, 材料科学与工程学院, 副教授

2012.1-2012.2  美国弗吉尼亚理工大学, 电机工程系, 高级访问学者

2011.5-2014.6  天津大学, 材料科学与工程学院, 讲师

学术兼职及获奖情况

  • 国家自然科学基金优秀青年基金项目获得者

  • IEEE CPMT Young Award(电子封装学会优秀青年奖)

  • 中国电源学会技术发明奖一等奖(第一完成人)

  • 中国电工技术学会技术发明奖一等奖(第一完成人)

  • 天津市青年科技优秀人才计划

  • CASA第三代半导体卓越创新青年

  • 天津市“131”创新型人才

  • 天津市中青年科技创新领军人才

  • IEEE国际电力电子年会APEC Best Presentation Award

  • 电子封装国际会议(ICEPOutstanding Technical Paper Award

  • 国家第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)“特别贡献奖

 

  • 担任CASA国际分委会封装/模块工作组副组长

  • 中国电源学会元器件专委会副主任委员

  • IEEE通电气化委员会(TEC)北京Chapter执行委员

  • IEEE电子封装学会(EPS)北京Chapter委员

  • 机械工程学会材料分会青年工作委员会委员

  • IEEE J EM S TOP P (IF=5.177)的客座副编辑

  • J MICROELECTRON ELECTR PACK的副编辑等

主要主持科研项目(实到经费>2000万元)

[1] 电子封装可靠性,国家自然科学基金优青项目

[2] 基于烧结平面互联的新型高压碳化硅功率模块封装技术与失效机制研究,国家自然科学基金项目重点项目,单位负责人

[3] 商用车高可靠性电力电子集成系统开发--车用多功能IGBT芯片及集成组件开发,国家重点研发计划,单位负责人

[4] 高品质电源用GaN功率模块热仿真研究,企业横向合作项目

[5] 电机驱动用1700V SiC半桥模块设计,企业横向合作项目

[6] 大尺寸ASIC纳米银导热材料可靠性研究,华为公司横向合作项目

[7] 电机控制器碳化硅功率模块的开发与测试,蔚来汽车公司横向合作项目

[8] 纳米银低温烧结与应力分析技术合作项目,华为公司横向合作项目

[9] 轨道交通用SiC器件纳米银烧结工艺技术研究,中车永济电机有限公司横向合作项目

[10] 电机驱动用全SiC模块开发,企业横向合作项目

[11] 第三代半导体高密度封装工艺与关键材料,国家863项目,子课题负责人

[12] 高性能电磁性元器件激光烧结一体化制造技术,天津市重大科技专项,子课题负责人

[13] 电动汽车用大功率IGBT模块的无铅化高温封装技术研究,天津市自然科学金

[14] 新能源车用电机驱动控制碳化硅功率模块的高密度封装技术,天津市自然科学基金

[15] 大容量高可靠碳化硅混合模块封装开发研究,天津市自然科学基金

近两年发表SCI论文2019-2020

  1. Li, D., Mei, Y-H.*, Xin, Y-C*., Li, Z-Q., Chu, P. K., Ma, C-S., and Lu, G-Q., 2020, “Reducing Migration of Sintered Ag for Power Devices Operating at High Temperature”, IEEE Transactions on Power Electronics, 35(12): pp. 12646-12650.

  2. Zhang, X-Y., Wang, M-Y., Li, X., Ding, Z-K., Ma, C-S., Lu, G-Q., and Mei, Y-H.*., 2020, A method for improving the thermal shock fatigue failure resistance of IGBT modules, IEEE Transactions on Power Electronics, DOI: 10.1109/TPEL.2019.2963236. IF=7.224 Q1

  3. Liu, J-C., Mei, Y-H.*, Lu, S-C., Li, X., and Lu, G-Q., 2020, Continuously variable multi-permeability inductor for improving the efficiency of high-frequency DC–DC converter, IEEE Transactions on Power Electronics, 35(1): pp. 826-834. IF=7.224 Q1

  4. Jin, J-Y., Mei, Y-H.*, Chen, G., Chen, X. and Lu, G-Q., 2020, Modeling of intergranular mechanical fatigue of a sintered nanosilver die attachment for power electronics, IEEE Transactions on Components Packaging and Manufacturing Technology, DOI: 10.1109/TCPMT.2020.2965117. IF=1.860 Q3

  5. Mei, Y-H., Hao, B-S., Chen, Y., Wang, M-Y.*, Li, X., and Lu, G-Q., 2020, Efficient layout design automation for multi-chip SiC modules targeting small footprint and low parasitic, IET Power Electronics, DOI: 10.1049/iet-pel.2019.1345. IF=2.839 Q2

  6. Li, D., Mei, Y-H.*, Tian, Y-H., and Xin, Y-C., 2020, Doping low-cost SiOx (1.2<x<1.6) nanoparticles to inhibit electrochemical migration of sinteted silver at high temperatures, Journal of Alloys and Compounds, 830: pp. 154587. IF=4.175 Q1

  7. Ding, C., Lu, S-C., Moss, J., Mullenix, J., Mei, Y-H., Ngo, K-D-T., and Lu, G-Q*., 2020, Additive Manufacturing of Spiral Windings for A Pot-Core Constant-Flux Inductor, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 8(1): pp. 618-625. IF=5.972 Q1

  8. Wang, M-Y., Mei, Y-H.*, Liu, W., Xie, Y-J., Fu, S-C., Li, X., and Lu, G-Q. 2019, “Reliability Improvement of a Double-Sided IGBT Module by Lowering Stress Gradient Using Molybdenum Buffers”, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 7(3): pp. 1637-1648. IF=5.972 Q1

  9. Liu, W., Mei, Y-H.*, Xie, Y-J., Wang, M-Y., Li, X., and Lu, G-Q. 2019, Design and characterizations of a planar multi-chip half-bridge power module by pressureless sintering of nanosilver paste, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 7(3): pp. 1627-1636. IF=5.972 Q1

  10. Wang, M-Y., Mei, Y-H.*, Li, X., Burgos, R., Boroyevich, D, and Lu, G-Q., 2019, “Pressureless Silver Sintering on Nickel for Power Module Packaging”, IEEE Transactions on Power Electronics, 34(8): 7121-7125. IF=7.224 Q1

  11. Wang, M-Y., Mei, Y-H.*, Li, X., and Lu, G-Q., 2019, Die-attach on nickel substrate by pressureless sintering a trimodal silver paste, Materials Letters, 253: pp. 131-135. IF=3.019 Q2

  12. Wang, X-M., Mei, Y-H.*, Li, X., Wang, M-Y., Cui, Z-D., and Lu, G-Q., 2019, “Pressureless sintering of nanosilver paste as die attachment on substrates with ENIG finish for semiconductor applications”, Journal of Alloys and Compounds, 777: pp. 578-585. IF=4.175 Q1

  13. Yan, H-D., Mei, Y-H.*, Wang, M-Y., Li, X., and Lu, G-Q. 2019, Pressureless sintering multi-scale Ag paste by a commercial vacuum reflowing furnace for massive production of power modules, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 30(10): pp. 9634-9641. IF=2.195 Q2

  14. Ding, C., Mei, Y-H., Ngo, K-D-T., and Lu, G-Q*., 2019, A (Permalloy+ NiZn Ferrite) Moldable Magnetic Composite for Heterogeneous Integration of Power Electronics, Materials, 12 (12): pp. 1999. IF=2.972 Q2

  15. Liu, L-B., Ding, C., Mei, Y-H., and Lu, G-Q*., 2019, Tailoring A Silver Paste for Additive Manufacturing of Co-Fired Ferrite Magnetic Components, Materials, 12 (5): pp. 817. IF=2.972 Q2

  16. Du, C-J., Li, X.*, Mei, Y-H., and Lu, G-Q. 2019, An explanation of sintered silver bonding formation on bare copper substrate in air, Applied Surface Science, 490: pp. 403-410. IF=5.155 Q1

  17. Du, C-J., Li, X.*, Mei, Y-H., and Lu, G-Q. 2019, Bonding performance of sintered nanosilver joints on bare copper substrates with different grain structures, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 30(14): pp. 12860-12868. IF=2.195 Q2

  18. Jiang, Y-M. Li, H-L.*, Chen, G., Mei, Y-H., and Wang, M-Y. 2019, Electromigration behavior of Cu/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu ball grid array solder joints, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 30(6): pp. 6224-6233. IF=2.195 Q2