姓名：徐泽东
出生年月：1984年10月
职称：副教授（硕士生导师）
Email：xuzedong@tiangong.edu.cn
职务及人才称号：校“天工百人”入选者
专业：电子科学与技术
研究方向一：自旋电子材料和器件
研究方向二：新型非易失存储器和新型晶体管技术
硕士生招生专业：电子科学与技术，材料科学与工程，凝聚态物理
学习经历：
2015年07月毕业于北京科技大学材料科学与工程专业，获博士学位
2007年07月毕业于北京科技大学材料物理专业，获学士学位
工作经历：
2021年09月-今，天津工业大学电子与信息工程学院，副教授
2018年08月-2021年08月，南方科技大学，研究助理教授
2018年03月-2018年07月，南方科技大学，高级研究学者
2015年11月-2018年03月，南方科技大学，博士后
讲授主要课程：
自旋电子学材料与器件
近年代表性科研成果：
参与项目情况：
1. 铁磁绝缘体/重金属异质结中手性磁结构的研究，国家自然科学基金面上项目，项目负责人，2023-2026，54万。
2. 铁电阻变存储器的研究，国家自然科学基金青年项目，项目负责人，2017-2020，19万。
3. 界面偶极子增强铁电隧道结电致电阻效应的研究，国家自然科学基金青年项目，主要参与人，2017-2020，24万。
4. 铁电薄膜材料中的负泊松比和负热膨胀的研究，国家自然科学基金面上项目，主要参与人，2020-2023，60万。
5. 铁电基阻变存储器,深圳市基础研究自由探索，主要参与人，2016-2018,50万。
6. 深紫外氧化物非晶薄膜的高速光电响应及深紫外探测器阵列研究，深圳市基础研究基础布局，主要参与人，2020-2023，200万。
代表性论文：
1. Zedong Xu, Qi Liu, Yanjiang Ji, Xiaowen Li, Junxue Li, Junling Wang, and Lang Chen. Strain-tunable interfacial Dzyaloshinskii−Moriya interaction and spin-Hall topological hall effect in Pt/Tm3Fe5O12 heterostructures. ACS Appl. Mater. Interfaces 14, 16791−16799 (2022).
2. Zedong Xu, Bei Deng, Sixia Hu, and Lang Chen. Strong spin-lattice coupling in tetragonal-like BiFeO3 films with thermal expansion anomalies. Appl. Phys. Lett. 117, 122901 (2020).
3. Zedong Xu, Songbai Hu, Rui Wu, Jia-Ou Wang, Tom Wu, and Lang Chen. Strain-enhanced charge transfer and magnetism at a manganite/nickelate interface. ACS Appl. Mater. Interfaces, 10, 30803-30810 (2018).
4. Zedong Xu, Lina Yu, Yong Wu, Chang Dong, Ning Deng, Xiaoguang Xu, J. Miao, Yong Jiang. Low-energy resistive random access memory devices with no need for a compliance current. Scientific Reports, 5, 10409 (2015).
5. Zedong Xu, Min Gao, Lina Yu, Liying Lu, Xiaoguang Xu, Yong Jiang. Co nanoparticles induced resistive switching and magnetism for the electrochemically deposited polypyrrole composite films. ACS Applied Materials & Interfaces, 6, 17823-17830 (2014).
6. Zedong Xu, Lina Yu, Xiaoguang Xu, Jun Miao, Yong Jiang. Effect of oxide/oxide interface on polarity dependent resistive switching behavior in ZnO/ZrO2 heterostructures. Applied Physics Letters, 104, 192903, 2014.
专利情况：
授权中国发明专利3项。
1. 徐泽东，陈朗。非易失存储器单元及其制备方法。授权专利号: ZL 2017 1 1146297.2
2. 徐泽东，陈朗。一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法。授权专利号: ZL 2017 1 1147716.4
3. 徐泽东，陈朗。一种铁电阻变存储器及其写入方法、读取方法和制备方法。授权专利号：ZL 2017 1 1147743.1
