胡帅

胡帅

性别：男，职称：副教授，导师类型：硕导

专业：电子科学与技术

Email：hushuai@tiangong.edu.cn

个人简介

胡帅，天津工业大学电子与信息工程学院副教授，博士毕业于同济大学物理学专业。2020年11月至2023年3月就职于英特尔半导体，任NAND Flash Memory Wafer Level Reliability Engineer，获大连市“青年才俊”高层次人才项目资助，2023年3月入职天津工业大学电子与信息工程学院。目前以第一作者身份在Nature Communications、材料学期刊Advanced Electronic Materials、物理学期刊Physical Review B、Journal of Physics: Condensed Matter上发表论文；以合作者身份在Nature Communications、Advanced Materials、Science China-physics Mechanics & Astronomy、Rare Metals、Applied Physics Letters等期刊发表论文14篇。

研究方向：自旋电子学材料与器件、存储器件制备与表征、自旋轨道矩效应

教育经历

          2017年9月- 2020年9月同济大学  物理学 博士                                                         

          2014年9月- 2017年6月中国科学技术大学  材料工程硕士                                                

2009年9月- 2013年6月天津理工大学  材料物理本科                                                    

工作经历

2023年3月- 至今天津工业大学电子与信息工程学院                                         

          2020年11月- 2023年3月英特尔半导体（大连）有限公司                              

代表性论文

[1] S. Hu, X. Qiu, C. Pan, W. Zhu, Y. Guo, D.-F. Shao, Y. Yang, D. Zhang, Y. Jiang, Frontiers in all electrical control of magnetization by spin orbit torque. Journal of Physics: Condensed Matter (2024) (Accepted).

[2] S. Hu, D.-F. Shao, H. Yang, C. Pan, Z. Fu, M. Tang, Y. Yang, W. Fan, S. Zhou, E.Y. Tsymbal, X. Qiu, Efficient perpendicular magnetization switching by a magnetic spin Hall effect in a noncollinear antiferromagnet, Nature Communications, 13 (2022) 4447. 

[3] S. Hu, H. Yang, M. Tang, H. Chen, Y. Yang, S. Zhou, X. Qiu, Current‐induced planar resistive switching mediated by oxygen migration in NiO/Pt bilayer, Advanced Electronic Materials, 6 (2020) 2000584.

[4] S. Hu, K. Pei, B. Wang, W. Xia, H. Yang, Q. Zhan, X. Li, X. Liu, R.-W. Li, Direct imaging of cross-sectional magnetization reversal in an exchange-biased CoFeB/IrMn bilayer, Physical Review B, 97 (2018) 054422.

[5] N. An; M. Tang; S. Hu; H. Yang; W. Fan; S. Zhou; X. Qiu, Structure and strain tunings of topological anomalous Hall effect in cubic noncollinear

antiferromagnet Mn₃Pt epitaxial films, Science China-physics Mechanics & Astronomy, 63(2020) 297511.

[6] H. Zhao, H. Xia, S. Hu, Y. Lv, Z. Zhao, J. He, E. Liang, G. Ni, L. Chen, X. Qiu, S. Zhou, H. Zhao, Large ultrafast-modulated Voigt effect in noncollinear antiferromagnet Mn₃Sn, Nature Communications, 12 (2021) 5266.

课题组简介

天津工业大学量子材料与器件研究院，成立于2021年，由天津工业大学常务副校长姜勇教授、物理科学与技术学院院长王文洪教授牵头，是天津工业大学“双一流”建设总体规划重点建设项目之一。研究院旨在聚焦量子功能材料和器件学科发展前沿、突破关键技术瓶颈、促进学科交叉与融合，致力于培养量子信息存储芯片领域科技领军人才和打造大科学平台，加速高水平颠覆性创新技术产出和前瞻性科研成果转化。目前研究院团队核心成员十余人，具有海外留学经历人员9人。

招生

每年招收硕士生1-2名，课题组设备完善，导师手把手指导，并与同济大学、上海科技大学、中国科学院合肥物质科学研究院广泛开展合作。同时可在就业上基于指导、提供国内半导体大厂的岗位推荐。欢迎以下特点的学生报考：性格开朗、主动上进；勤于思考、物理基础良好；通过大学英语四级。