姓名：陈杰
性别：男
职称：副教授
Email: chenjie@tiangong.edu.cn
专业：电子科学与技术
主要研究方向：
拓扑材料以及磁性拓扑材料的宏观磁性与输运物性研究，内容包括：新材料物态设计与生长、多维度（晶格、电子、自旋、能带）磁电物性调控、宏观量子效应、新物性探索。研究的材料体系有磁性稀土基化合物、half-Heusler合金、稀土过渡族合金等。
学习经历：
2017/09-2020/06，中国科学院大学，中科院物理研究所，凝聚态物理，博士
2014/09-2017/06，北京工业大学，材料科学与工程学院，材料科学与工程，硕士
2010/09-2014/06，河南工业大学，材料科学与工程学院，无机非金属，学士
工作经历：
2024/01-至今，天津工业大学，电子与信息工程学院，副教授
2022/09-2023.12，天津工业大学，电子与信息工程学院，讲师
2020/08-2022/08，中科院物理所和松山湖材料实验室联合培养，博士后
科研项目：
1.国家自然科学基金委员会, 青年科学基金项目, 12304150, 磁性拓扑半金属材料中各向异性磁电阻效 应及其物理机制研究, 2024-01-01 至 2026-12-31, 30万元, 在研, 主持
2.中国博士后科学基金, 面上资助, 2020M680734, 稀土基half-Heusler合金的反常霍尔效应研究, 2020-08 至 2022-08, 8万元, 主持
3.国家自然科学基金委员会, 国际(地区)合作与交流项目, 12361141823, 拓扑自旋霍尔效应研究, 2024-01-01 至 2026-12-31, 200万元, 在研, 参与
4.国家自然科学基金委员会, 国际(地区)合作与交流项目, 52161135108, 多功能half-Heusler合金的可控制备和拓扑量子物性调控研究, 2022-01-01 至 2024-12-31, 150万元, 参与
5.国家自然科学基金委员会, 面上项目, 11974406, 稀土-过渡金属半Heusler合金反常磁阻效应及其物理机制研究, 2020-01-01 至 2023-12-31, 63万元, 参与
6.国家自然科学基金委员会, 重点项目, 51831003, 基于晶体长/短程序和磁性团簇拓扑关联及外场调控的新型磁驱相变材料研究, 2019-01-01 至 2023-12-31, 300万元,参与
代表性论文：
1. Jie Chen; Hang Li; Bei Ding; Peng Chen; Tengyu Guo; Xing Xu; Dongfeng Zheng; Hongwei Zhang; Xuekui Xi; Wenhong Wang; Unconventional Anomalous Hall Effect in the Canted Antiferromagnetic Half-Heusler Compound DyPtBi, Advanced Functional Materials, 2021, 31(41): 2107526
2. Jie Chen, Xiuxian Yang, Feng Zhou, Yong-Chang Lau, Wanxiang Feng, Yugui Yao, Yue Li, Yong Jiang, Wenhong Wang; Colossal anomalous Hall effect in the layered antiferromagnetic EuAl2Si2 compound, Materials Horizons, 2024, (accept)
3. Jinjian Guo, Jie Chen; Kang zhao, Xuedong Bai, Wenlong Wang; Unveiling Hidden Hyperuniformity: Radial Turing Pattern Formation of Marangoni-Driven SiO2 Nanoparticles on Liquid Metal Surface, Advanced Science, 2024, (accept).
4. Jie Chen; Hang Li; Tengyu Guo; Peng Chen; Dongfeng Zheng;Guoqiang Yu; Yong-Chang Lau; Xuekui Xi; Wenhong Wang; Anomalous anisotropic magnetoresistance in the topological semimetal HoPtBi, NPG Aisa Materials, 2023, 15(1).
5. Yizhou Zhou, Jie Chen, Z. X Li, J. Luo, J. Yang, Y. F Guo, W. H Wang, R. Zhou, and Guo-qing Zheng, Phys. Rev. Lett. 130 (26) (2023).
6. Jie Chen; Xing Xu; Hang Li; Tengyu Guo; Bei Ding; Peng Chen; Hongwei Zhang; Xuekui Xi; Wenhong Wang; Large anomalous Hall angle accompanying the sign change of anomalous Hall conductance in the topological half-Heusler compound HoPtBi, Physical Review B, 2021, 103(14): 144425.
7. Yongheng Li, Jie Chen, Cong Lu, Hiroshi Fukui, Xiaoxia Yu, Chunyang Li, Jing Zhao, Xueyun Wang, Wenhong Wang, and Jiawang Hong, Multiphonon interaction and thermal conductivity in half-Heusler LuNiBi, Phys. Rev. B 109 (17) (2024).
8. Jie Chen; Hang Li; Bei Ding; Zhipeng Hou; Enke Liu; Xuekui Xi; Hongwei Zhang; Guangheng Wu; Wenhong Wang; Structural and magnetotransport properties of topological trivial LuNiBi single crystals, Journal of Alloys and Compounds, 2019, 784: 822-826
9. Jie Chen; Hang Li; Bei Ding; Hongwei Zhang; Enke Liu; Wenhong Wang ; Large anomalous Hall angle in a topological semimetal candidate TbPtBi, Applied Physics Letters, 2021, 118(3): 031901
10. Jie Chen; Hang Li; Bei Ding; Enke Liu; Yuan Yao; Guangheng Wu; Wenhong Wang; Chiral-anom aly induced large negative magnetoresistance and nontrivial π-Berry phase in half-Heusler compounds RPtBi (R=Tb, Ho, and Er), Applied Physics Letters, 2020, 116(22): 222403
11. Jie Chen; Hang Li; Bei Ding; Zhipeng Hou; Enke Liu; Xuekui Xi; Guangheng Wu; Wenhong Wang; Tunable positive magnetoresistance and crossover from weak antilocalization to weak localization transition in half-Heusler compounds RPtBi (R = lanthanide), Applied Physics Letters, 2020, 116(10): 101902
12. Jie Chen; Peng Chen; Tengyu Guo; Dongfeng Zheng; Hang Li; Guoqiang Yu; Yong-Chang Lau; Xuekui Xi; Wenhong Wang;; Tunable positive magnetoresistance and crossover from weak antilocalization to weak localization transition in half-Heusler compounds RPtBi (R = lanthanide), Applied Physics Letters, 122 (20) (2023).
13. Junli Zhang, Jie Chen, P. Li, C. Zhang, Z. Hou, Y. Wen, Q. Zhang, Wenhong Wang, and X. Zhang, J. Phys. Condens. Matter. 32 (35), 355707 (2020).
14. Jie Chen; Hongguo Zhang; Enke Liu; Ming Yue; Qingmei Lu; Wenhong Wang; Guangheng Wu; Jiuxing Zhang;Wide temperature window of magnetostructural transition achieved in Mn0.4Fe0.6NiSi1−xGax by a two-step isostructural alloy, AIP advances, 2016, 6(5): 056220.
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