出生年月：1993年7月
职称：讲师
导师类型：硕导
Email：yekunwyw@163.com
专业与招生方向：电子科学与技术
研究方向一：二维材料的制备与光电器件性能的研究
研究方向二：二维材料的界面修饰及其光学传感性能的研究
学习经历：
2016-2022年，燕山大学化学材料物理与化学博士；
2012-2016年，齐齐哈尔大学高分子材料与工程本科；
工作经历：
2024年4月-至今，天津工业大学，电子与信息工程学院。
2022-2024年，安徽大学材料物理与化学博士后；
科研项目：
1. 国家自然科学基金青年项目，二维磁性材料卤化镍的合成与器件原理研究，在研，主持；
2. 国家自然科学基金项目面上项目, 横向组分梯度二维合金W1-xBxS2(B=V,Nb)的制备及其器件性能研究, 结题; 参与；
代表性论文著作：
在材料学,以及相关学科以第一作者、共同第一作者发表SCI 期刊15余 篇，其中代表性文章：
1.K. Ye#, J. X. Yan#, L.L. Liu*, P. H. Li, Z.P. Yu, Y. Gao, M. M. Yang, H. Huang, A. M. Nie, Y. Shu*, J. Y. Xiang, S. G. Wang*, and Z. Y. Liu, Broadband Polarization-Sensitive Photodetection of Magnetic Semiconducting MnTe Nanoribbons. Small, 2300246 (2023).
2.K. Ye#, L. X. Liu#, Y. J. Liu, A. M. Nie, K. Zhai*, J. Y. Xiang, B. C. Wang, F. S. Wen, C. P. Mu*, Z. S. Zhao, Y. J. Gong, Z. Y. Liu* and Y. J. Tian, Broadband light absorption and photoresponse enhancement in monolayer WSe2 crystal coupled to Sb2O3 microresonators. Nano Research, 15, 4653–4660 (2022).
3. L. X. Liu#, K. Ye#, C. Q. Lin, Z. Y. Jia, T. Y. Xue*, A. M. Nie*, Y. C. Cheng, J. Y. Xiang, C. P. Mu, B. C. Wang, F. S. Wen, K. Zhai, Z. S. Zhao, Y. J. Gong*, Z. Y. Liu* and Y. J. Tian, Grain-boundary-rich polycrystalline monolayer WS2 film for attomolar-level Hg2+sensors. Nature Communications, 12, 3870 (2021).
4. K. Ye, B. C. Wang*, A. M. Nie, K. Zhai, F. S. Wen, C. P. Mu, Z. S. Zhao, J. Y. Xiang*, Y. J. Tian and Z. Y. Liu, Broadband photodetector of high quality Sb2S3 nanowire grown by chemical vapor deposition. Journal of Materials Science & Technology, 75, 14-20 (2021).
5 K. Ye#, L. X. Liu#, Y. J. Liu, A. M. Nie*, K. Zhai*, J. Y. Xiang, B. C. Wang, F. S. Wen, C. P. Mu, Z. S. Zhao, Y. J. Gong, Z. Y. Liu* and Y. J. Tian, Lateral Bilayer MoS2–WS2 Heterostructure Photodetectors with High Responsivity and Detectivity. Advanced Optical Materials, 7, 201900815 (2019).
专利：
申请发明专利两项，其中一项已授权。
(1) 叶坤; 王守国; 高阳; 周文达; 田尚杰; 杨蒙蒙; 阚绪材; 陈学刚; 臧一鹏 ; 一种超薄卤化镍二维磁性材料及其制备方法和用途, 2023-11-28, 中国, CN202211146075.1 (专利)
(2) 高阳; 王守国; 叶坤; 周文达; 田尚杰; 杨蒙蒙; 阚绪材; 臧一鹏; 陈学刚; 一种Cu7Te4纳米片的制备方法及其应用, 2023-02-15, 中国, CN202310147154.2 (专利)
