报告题目：非易失半导体存储器技术
报告时间：2018年3月12日（周一）10:00
报告地点：电子与信息工程学院4B303会议室
报告人：毕津顺研究员
报告内容简介：
存储器是最重要的集成电路技术之一，在信息、社会安全、国防军事、航空航天、科学研究和日常生活等领域具有不可替代地位，是国家竞争力的重要表现。非易失存储器是指电源关闭后仍能保存所存信息的最重要的一类存储器。本报告首先介绍了非易失存储器发展历史、现状及面临的瓶颈和挑战，着重阐述阻变存储器和电荷俘获存储器的基本原理、可靠性问题、辐射效应与优化加固方法，并对未来的技术发展进行了展望。
报告人简介：
毕津顺，博士学位，中国科学院微电子研究所研究员，中国科学院大学岗位教授，加拿大萨斯喀彻温大学兼职教授，北京交通大学兼职教授，中国科学院青年创新促进会成员，国家自然科学基金项目评议人，中国核学会辐射物理分会理事。2013年北京地区微电子博士生论坛技术委员会委员，2016年北京微电子研究生学术论坛技术委员会委员，2017年极端环境微纳电子器件可靠性国际研讨会组委会主席，担任国内外20余种期刊和会议的审稿人。主要从事半导体器件和集成电路辐照效应、抗辐射加固技术及应用研究。主持国防创新项目、预研项目、自然基金重点项目和面上项目多项，参与国家重大科技专项、国家自然基金创新研究群体项目、自然科学基金委–中国科学院大科学装置科学研究联合基金项目和中科院国际合作项目等10余项。已出版译著一部，发表各类学术论文100余篇，申请专利共计63项，其中已授权专利共计37项。
