2018年3月12日，电子与信息工程学院邀请中国科学院微电子研究所的毕津顺研究员在学院4B303会议室作了题为《非易失半导体存储器技术》的报告，相关领域的教师和研究生参加了本次报告会。
报告中，毕津顺研究员首先介绍了非易失存储器的发展历史、研究现状及面临的瓶颈和挑战，着重阐述了阻变存储器和电荷俘获存储器的基本原理、可靠性问题、辐射效应与优化加固方法，并对未来的技术发展进行了展望。接着，毕津顺研究员与大家分享了其所在团队的最新研究成果，并与参会师生进行了深入的交流，对于拓宽师生的视野和研究思路，促进集成电路等方面的研究起到了重要作用。
毕津顺博士是中国科学院微电子研究所研究员、中国科学院大学岗位教授、加拿大萨斯喀彻温大学兼职教授、北京交通大学兼职教授、中国科学院青年创新促进会成员、国家自然科学基金项目评议人、中国核学会辐射物理分会理事。主要从事半导体器件和集成电路辐照效应、抗辐射加固技术及应用研究。主持国防创新项目、预研项目、自然科学基金重点项目和面上项目多项，出版译著一部，发表学术论文100余篇，授权专利37项，担任国内外20余种期刊和会议的审稿人。
