姓名：顾而丹
性别：男
个人信息：
1956 年6 月15 日生，1982 年在江苏省徐州师范大学获理学学士学位，1985-1988 年在中国科学技术大学攻读硕士学位，获理学硕士学位，1988年底到英国阿伯丁大学攻读博士学位，1992 年获博士学位。1992 年到1997 年在英国剑桥大学物理系卡文迪许实验室从事博士后研究，包括超薄薄膜的生长机理，纳米结构，微磁结构，薄膜器件的结构和磁性等多方面的研究。1997 年底至2002 年初，受聘于英国牛津仪器公司科研部，任高级工程师，从事薄膜生长,纳米结构，薄膜物理性质和超导器件等方面的研究。2002 年初至今，在英国Strathclyde 大学光电研究所工作。
成果专利：
1、利用超高真空蒸发设备，同步辐射EXAFS，X 射线衍射和高分辨电镜等手段，系统得研究和阐明了稀土薄膜的成核，生长机理，薄膜微结构和生长条件的关系。
2、研究了金属多层膜在X 射线光学上的应用。提出了一个增加软X 射线反射器带宽的新设计。
3、利用洛伦兹电镜和磁光克尔效应等手段，在世界上首次揭示了外延铁膜微粒的微磁结构和其对微粒的尺度，取向和磁化条件的依赖关系。
4、发现和证明了在Co/GaAs(001)外延体系里，钴的稳定相是双取向的六方结构而不是以前一致认为的体心结构。并正确解释了其磁性质对其结构的依赖关系。
5、对于Co/Cu(110)外延微粒阵列体系，首次观察到一个由于外延钴粒子扩散引起的磁相变。并发现此类体系具有可控的磁特性。
6、研究和制作了新型薄膜超导器件像超级超导量子干涉器(SQUID)和超导转变温度传感器(TES)。
签名：
