2023年4月12日下午，应电子与信息工程学院邀请，香港理工大学杨明助理教授在电子与信息工程学院4B304报告厅作了题为《高性能二维电子设备的载流子迁移率和接口属性的调控》的学术报告，报告会由朱涛副教授主持，相关研究领域的师生参加了报告会。
杨明助理教授首先向大家介绍了二维半导体目前在高性能纳米电子学遇到的关键挑战，并介绍通过在二维MoS2中引入波纹晶格结构，可以在室温下实现创纪录的高载流子迁移率。此外，对于传统高k电介质与二维MoS2之间的界面，杨明团队发现加氢是钝化悬挂键并改善界面性能的理想方法，其中氢化可以选择性地发生在Si3N4和HfO2等高k电介质上，并且不影响二维半导体MoS2。最后，杨明助理教授介绍了一种团队开发的开源数据驱动方法用来加速无机分子晶体的发现和计算。
最后，与会老师和同学们踊跃提出问题，杨明助理教授逐一进行了详细的解答。精彩的学术报告受到了同学们的热烈欢迎，整个报告会学术气氛浓厚，内容充实，大家收获颇丰。
报告人简介
杨明，香港理工大学应用物理系助理教授、博士生导师，研究方向为利用高通量筛选、高通量第一性原理计算、机器学习等研究能源与催化材料、二维材料的各种物理性质与器件应用，理解与调控二维半导体材料与介电层、金属接触的界面性质。国际权威刊物如Nat. Electronics,Nat. Nanotechn.,Nat. Physics, Nat. Commun., JACS, Adv. Mater. Nano Lett.,等发表论文150余篇（Google Scholar总引用次数超5300，H-index 41）、3项PCT专利、并贡献石墨烯手册的相关章节。
