2023年4月21日，电子与信息工程学院举办了“先进电子材料与器件”系列专题学术报告会，北京大学沈波教授和中科院物理所周均铭研究员应邀为会议作学术报告。电子与信息工程学院常务副院长牛萍娟教授、张德林教授、刘宏伟教授、赵传阵教授、张赞允教授、电气工程学院常务副院长梅云辉教授以及相关学科教师和研究生参加了报告会，会议由牛萍娟教授主持。
沈波教授以MOCVD外延生长高质量AlGaN基深紫外LED和GaN基功率电子器件技术为主题，为与会人员分享了GaN宽禁带半导体的大失配MOCVD外延和缺陷控制方法，为师生解答了GaN高质量外延生长、Mg在AlN材料中的P型掺杂等热点学术问题。
周均铭研究员以混合分子束外延技术为主题，对比了GaN材料生长过程中MOCVD技术和MBE技术各自的优势，重点分析了MBE生长硅基GaN功率电子材料的关键技术，并结合MBE外延再生长技术同与会师生进行了细致的讨论。
本次会议是电子与信息工程学院在“先进电子材料与器件”领域开展的系列学术交流之一。通过系列活动，电子与信息工程学院促进与国内外同领域单位科研的合作，进一步提升学院科研团队的科研能力和研究水平。
报告人简介
沈波，北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、教育部长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者、基金委创新研究群体带头人。曾任国家973计划项目首席科学家、863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长。现为国家“十三五”规划“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员、“十四五”规划“新型显示和战略性先进电子材料”重点专项第三代半导体方向专家组组长，并担任国家第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长，享受国务院特殊津贴。
周均铭，中国科学院物理研究所研究员，分子束外延研究组组长，博士生导师。从事分子束外延技术及半导体超晶格材料生长及物性研究。两次获国家科技进步二等奖，两次获中科院科技进步一等奖。
撰稿：刘宏伟
审稿：牛萍娟 李秀艳
